MOSFET Infineon IRFS7534TRL7PP, VDSS 60 V, ID 240 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
240 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK-7
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
290 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
200 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 59,88
€ 2,994 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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Empaque de Producción (Rollo)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 20 - 48 | € 2,994 | € 5,99 |
| 50 - 98 | € 2,79 | € 5,58 |
| 100 - 198 | € 2,593 | € 5,18 |
| 200+ | € 2,389 | € 4,78 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
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Tipo de Encapsulado
D2PAK-7
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
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Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Ancho
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
200 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
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MOSFET Transistors, Infineon
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