MOSFET Infineon IRFS7530TRL7PP, VDSS 60 V, ID 240 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 820-8867Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFS7530TRL7PP
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

240 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Series

StrongIRFET

Tipo de Encapsulado

D2PAK-7

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

9.65mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Longitud:

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

236 nC a 10 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

4.83mm

Datos del producto

MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon

La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Producción -

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6€ 17,08
8€ 22,77
10€ 28,46
12€ 34,16
14€ 39,85
16€ 45,54
18€ 51,24
20€ 56,93
22€ 62,62
24€ 68,32
26€ 74,01
28€ 79,70
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7

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1.4 mΩ

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

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Disipación de Potencia Máxima

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Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Operación

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Mínima Temperatura de Funcionamiento

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Altura

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