Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
PQFN 3 x 3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,0124 O
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
20V
Número de Elementos por Chip
2
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€ 0,115
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
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N
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12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
PQFN 3 x 3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,0124 O
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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