MOSFET Infineon IRFB7540PBF, VDSS 60 V, ID 110 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
88 nC a 10 V
Ancho
4.83mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| 25 - 45 | € 0,739 | € 3,70 |
| 50 - 120 | € 0,665 | € 3,32 |
| 125 - 245 | € 0,598 | € 2,99 |
| 250+ | € 0,569 | € 2,85 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Single
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1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.67mm
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Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
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MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
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