MOSFET Infineon IRF5210PBF, VDSS 100 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 541-1720PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF5210PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

60 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.54mm

Profundidad

4.69mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

8.77mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 2,03

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IRF5210PBF, VDSS 100 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 2,03
2€ 4,07
3€ 6,10
4€ 8,14
5€ 10,17
6€ 12,21
7€ 14,24
8€ 16,28
9€ 18,31
10€ 19,39
11€ 21,33
12€ 23,27
13€ 25,21
14€ 27,15
15€ 29,08

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8€ 16,28
9€ 18,31
10€ 19,39
11€ 21,33
12€ 23,27
13€ 25,21
14€ 27,15
15€ 29,08

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9€ 2,03
10 - 24€ 1,94
25 - 49€ 1,90
50 - 99€ 1,77
100+€ 1,65

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Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

60 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.54mm

Profundidad

4.69mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

8.77mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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