Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPD25CN10N G
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
26 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
71000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
7.47mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Altura
2.41mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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$ 0,478
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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InfineonTipo de Canal
N
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35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPD25CN10N G
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
26 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
71000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
7.47mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Altura
2.41mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V