MOSFET Infineon IPB64N25S320ATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
OptiMOS™-T
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
67 nC a 10 V
Profundidad
10.25mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
4.4mm
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€ 5,339
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 5,339 | € 26,69 |
| 25 - 45 | € 5,024 | € 25,12 |
| 50 - 120 | € 4,647 | € 23,24 |
| 125+ | € 4,335 | € 21,67 |
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N
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Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
67 nC a 10 V
Profundidad
10.25mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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