MOSFET IPA80R1K4P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 4 A, TO-220FP de 3 + Tab pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Número de Elementos por Chip
1
Modo de Canal
Mejora
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3 + Tab
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
0.9V
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
Ancho
4.9mm
Serie
CoolMOS P7
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Longitud
10.65mm
Altura
16.15mm
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.1 Ω
Brand
InfineonCarga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
País de Origen
China
Datos del producto
Motor Driven
Bajo ruido
Los dígitos decimales son blancos, mientras que los otros son de color rojo
Se suministra con pinza para panel y moldura con orificio de 50 mm de diám.
Abertura de 46 x 46 mm
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P.O.A.
5
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Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
0.9V
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
Ancho
4.9mm
Serie
CoolMOS P7
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Longitud
10.65mm
Altura
16.15mm
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.1 Ω
Brand
InfineonCarga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
País de Origen
China
Datos del producto
Motor Driven
Bajo ruido
Los dígitos decimales son blancos, mientras que los otros son de color rojo
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