IGBT, IKW30N65ES5XKSA1, N-Canal, 62 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
62 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20 V, ±30V
Disipación de Potencia Máxima
188 W
Número de transistores
1
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Capacitancia de puerta
1800pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
0.88mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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| 50 - 90 | € 3,065 | € 30,65 |
| 100 - 240 | € 2,931 | € 29,31 |
| 250+ | € 2,728 | € 27,28 |
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62 A
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650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20 V, ±30V
Disipación de Potencia Máxima
188 W
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1
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Capacitancia de puerta
1800pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
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Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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