AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM18W08-SG, 28 pines, SOIC, Paralelo, 256kbit, 32K x 8 bits, 70ns, 2,7 V a 5,5 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K x 8 bits
Tipo de Interfaz
Parallel
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
28
Dimensiones del Cuerpo
18.11 x 7.62 x 2.37mm
Longitud:
18.11mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Ancho
7.62mm
Altura
2.37mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Estándar de automoción
AEC-Q100
Número de Palabras
32K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Datos del producto
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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SOIC W
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28
Dimensiones del Cuerpo
18.11 x 7.62 x 2.37mm
Longitud:
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Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Ancho
7.62mm
Altura
2.37mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Estándar de automoción
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Número de Palabras
32K
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
8bit
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Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
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