Módulo IGBT, FF200R12KS4HOSA1, N-Canal, 275 A, 1.200 V, AG-62MM-1 Serie

Código de producto RS: 166-0898Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: FF200R12KS4HOSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

275 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

1400 W

Configuration

Series

Tipo de Encapsulado

AG-62MM-1

Tipo de Montaje

Panel Mount

Tipo de Canal

N

Transistor Configuration

Series

Dimensiones

106.4 x 61.4 x 30.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Temperatura Máxima de Funcionamiento

125 °C

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

Módulo IGBT, Infineon

La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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Tipo de Encapsulado

AG-62MM-1

Tipo de Montaje

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Tipo de Canal

N

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106.4 x 61.4 x 30.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Temperatura Máxima de Funcionamiento

125 °C

País de Origen

Malaysia

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Módulo IGBT, Infineon

La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

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IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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