MOSFET Infineon BSC040N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.49mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
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€ 0,892
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Ancho
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.49mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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