Transistor digital, BCR133WH6327XTSA1, NPN 100 mA 50 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, Simple

Código de producto RS: 145-9625Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BCR133WH6327XTSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Transistor

NPN

Corriente DC Máxima del Colector

100 mA

Tensión Máxima Colector-Emisor

-50 V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de Montaje

Surface Mount

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Transistor Configuration

Single

Conteo de Pines

3

Número de Elementos por Chip

1

Typical Resistor Ratio

1

Dimensiones del Cuerpo

2 x 1.25 x 0.8mm

Typical Input Resistor

10 kΩ

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Datos del producto

Transistores digitales de doble resistencia, Infineon

Una gama de transistores de empalme bipolar de Infineon equipados con resistencias integradas que permiten alimentar los dispositivos directamente desde fuentes digitales sin necesidad de otros componentes. Los dispositivos de doble resistencia tienen una resistencia de entrada de serie y una resistencia conectada entre la base de transistor y el emisor.

Digital Transistors, Infineon

Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.

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€ 0,062

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
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6000 - 12000€ 0,057€ 172,35
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Disipación de Potencia Máxima

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Dimensiones del Cuerpo

2 x 1.25 x 0.8mm

Typical Input Resistor

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Transistores digitales de doble resistencia, Infineon

Una gama de transistores de empalme bipolar de Infineon equipados con resistencias integradas que permiten alimentar los dispositivos directamente desde fuentes digitales sin necesidad de otros componentes. Los dispositivos de doble resistencia tienen una resistencia de entrada de serie y una resistencia conectada entre la base de transistor y el emisor.

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