Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
4.77mm
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
4.01mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, 100 V a 450 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 0,608
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
50
€ 0,608
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
50 - 95 | € 0,608 | € 3,04 |
100 - 495 | € 0,471 | € 2,36 |
500 - 995 | € 0,413 | € 2,07 |
1000+ | € 0,375 | € 1,87 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
4.77mm
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
4.01mm
Datos del producto