Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Longitud
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64,2 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
3.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.78mm
Serie
DMP
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 0,304
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDI3333-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Longitud
3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64,2 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
3.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.78mm
Serie
DMP
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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