Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 1Mbit, 1M x 1, 100MHZ, SOJ-28, VCC máx. 5,5 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
1M x 1
Número de Palabras
1M
Número de Bits de Palabra
1bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Ancho del Bus de Direcciones
20bit
Frecuencia de Reloj
100MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOJ
Conteo de Pines
28
Dimensiones
0.73 x 0.405 x 0.123plg
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
3.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
18.54mm
Profundidad
0.405in
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Datos del producto
Memoria RAM estática asíncrona, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
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P.O.A.
1
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1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
1M x 1
Número de Palabras
1M
Número de Bits de Palabra
1bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Ancho del Bus de Direcciones
20bit
Frecuencia de Reloj
100MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOJ
Conteo de Pines
28
Dimensiones
0.73 x 0.405 x 0.123plg
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
3.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
18.54mm
Profundidad
0.405in
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Datos del producto