Doble uso

Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 1Mbit, 1M x 1, 100MHZ, SOJ-28, VCC máx. 5,5 V

Código de producto RS: 827-2600Marca: Cypress SemiconductorNúmero de parte de fabricante: CY7C107D-10VXI
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

1Mbit

Organización

1M x 1

Número de Palabras

1M

Número de Bits de Palabra

1bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

10ns

Ancho del Bus de Direcciones

20bit

Frecuencia de Reloj

100MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de Temporizador

Asynchronous

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOJ

Conteo de Pines

28

Dimensiones

0.73 x 0.405 x 0.123plg

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Altura

3.12mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C.

Longitud:

18.54mm

Profundidad

0.405in

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

4.5 V

Datos del producto

Memoria RAM estática asíncrona, Cypress Semiconductor

SRAM (Static Random Access Memory)

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Tipo de Temporizador

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Tipo de Montaje

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Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Altura

3.12mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Temperatura Máxima de Funcionamiento

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