Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
185 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
-3V
Tensión de umbral de puerta mínima
-1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.64mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,7 nC a 10 V
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
-1.4V
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€ 0,106
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
25
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VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
185 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
-3V
Tensión de umbral de puerta mínima
-1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.64mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,7 nC a 10 V
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
-1.4V