MOSFET Vishay SI2301CDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3238Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI2301CDS-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TO-236

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

112 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

860 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud:

3.04mm

Ancho

1.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.02mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 0,373

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MOSFET Vishay SI2301CDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 7,46
40€ 14,93
60€ 22,39
80€ 29,85
100€ 37,32
120€ 44,78
140€ 52,24
160€ 59,71
180€ 67,17
200€ 59,61
220€ 65,58
240€ 71,54
260€ 77,50
280€ 83,46
300€ 89,42

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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 180€ 0,373€ 7,46
200 - 480€ 0,298€ 5,96
500 - 980€ 0,224€ 4,48
1000 - 1980€ 0,187€ 3,73
2000+€ 0,168€ 3,36

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Tipo de Encapsulado

TO-236

Tipo de montaje

Montaje superficial

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

112 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

860 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud:

3.04mm

Ancho

1.4mm

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