Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Visible Light
Tiempo de Bajada Típico
5µs
Typical Rise Time
6µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
800µA
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±40 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
4.7 x 5.2mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
4.7mm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Altura
5.2mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Fototransistores series BPW76A y BPW76B
Las series BPW76A y BPW76B de Vishay Semiconductor son una familia de fototransistores NPN de silicio. Están ubicados en encapsulados TO-18 herméticamente sellados con una ventana de cristal. Son sensibles tanto a la radiación por infrarrojos visible como cercana. Los fototransistores BPW76A y BPW76B son ideales para el uso de detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW76A y BPW76B:
Encapsulado TO-18
Montaje de orificio pasante
4,7 mm de diámetro
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Ángulo de media intensidad: 40 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +125 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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Typical Rise Time
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Maximum Light Current
800µA
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±40 °
Polarity
NPN
Number of Pins
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Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
4.7 x 5.2mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
4.7mm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Altura
5.2mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Fototransistores series BPW76A y BPW76B
Las series BPW76A y BPW76B de Vishay Semiconductor son una familia de fototransistores NPN de silicio. Están ubicados en encapsulados TO-18 herméticamente sellados con una ventana de cristal. Son sensibles tanto a la radiación por infrarrojos visible como cercana. Los fototransistores BPW76A y BPW76B son ideales para el uso de detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW76A y BPW76B:
Encapsulado TO-18
Montaje de orificio pasante
4,7 mm de diámetro
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Ángulo de media intensidad: 40 °
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