MOSFET Texas Instruments CSD17307Q5A, VDSS 30 V, ID 73 A, VSONP de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 4,5 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 0,305
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
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-8 V, +10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
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Si
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Profundidad
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