Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
97 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,8 nC a 4,5 V
Profundidad
5.1mm
Material del transistor
Si
Serie
NexFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.05mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
97 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,8 nC a 4,5 V
Profundidad
5.1mm
Material del transistor
Si
Serie
NexFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.05mm
Datos del producto