Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
6.5mm
Ancho
3.5mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.8mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,92
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
€ 0,92
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
5 - 5 | € 0,92 | € 4,60 |
10 - 20 | € 0,805 | € 4,02 |
25 - 95 | € 0,763 | € 3,81 |
100 - 495 | € 0,554 | € 2,77 |
500+ | € 0,462 | € 2,31 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
6.5mm
Ancho
3.5mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.8mm
Datos del producto