Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de Transistor
NPN + PNP
Corriente DC Máxima del Colector
65 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
8 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
0,15 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
12 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
8.000 MHz
Conteo de Pines
16
Número de Elementos por Chip
5
Dimensiones del Cuerpo
1.5 x 10 x 4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Matrices de transistores, Intersil
Aislamiento completo entre transistores
Bipolar Transistors, Intersil
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
48
P.O.A.
48
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de Transistor
NPN + PNP
Corriente DC Máxima del Colector
65 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
8 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
0,15 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
12 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
8.000 MHz
Conteo de Pines
16
Número de Elementos por Chip
5
Dimensiones del Cuerpo
1.5 x 10 x 4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Matrices de transistores, Intersil
Aislamiento completo entre transistores