Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
237 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
128 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 4,5 V
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Malaysia
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€ 1,614
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
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Tipo de montaje
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Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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±20 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 4,5 V
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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