MOSFET onsemi NVMFD6H840NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble
Documentos Técnicos
Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Estándar de automoción
AEC-Q101
Tipo de Canal
N
Número de Elementos por Chip
2
Transistor Configuration
Dual
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Conteo de Pines
8
Tensión de diodo directa
1.2V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Altura
1.05mm
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Profundidad
5.1mm
Longitud
6.1mm
Maximum Continuous Drain Current
74 A
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.8 mΩ
Baterías
3 x AAA BatteryCarga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
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€ 1,185
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
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Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
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