MOSFET onsemi NVMFD6H840NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
74 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Dual
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.1mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
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€ 1,185
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Altura
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