Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
NVD5C688NL-D
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
18000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 1,137
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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N
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17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
NVD5C688NL-D
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
18000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto