Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
560 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 0,261
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50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
50 - 450 | $ 0,261 | $ 13,06 |
500 - 1200 | $ 0,241 | $ 12,04 |
1250 - 2450 | $ 0,227 | $ 11,34 |
2500 - 4950 | $ 0,209 | $ 10,45 |
5000+ | $ 0,192 | $ 9,62 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
560 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto