Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
31,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
28 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5 nC a 10 V
Longitud
6.1mm
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C682NL
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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P.O.A.
1500
P.O.A.
1500
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
31,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
28 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5 nC a 10 V
Longitud
6.1mm
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C682NL
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V