Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 5 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,967
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
€ 0,967
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Empaque de Producción (Rollo)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
5 - 20 | € 0,967 | € 4,84 |
25 - 120 | € 0,704 | € 3,52 |
125 - 620 | € 0,563 | € 2,82 |
625 - 1245 | € 0,491 | € 2,45 |
1250+ | € 0,479 | € 2,39 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 5 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto