Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 225 | € 0,288 | € 7,19 |
250 - 725 | € 0,131 | € 3,29 |
750 - 1475 | € 0,114 | € 2,85 |
1500 - 2975 | € 0,096 | € 2,41 |
3000+ | € 0,087 | € 2,17 |
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N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.