Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
600 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
75 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Bolsa |
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1000 - 2000 | € 0,064 | € 64,32 |
3000 - 9000 | € 0,054 | € 53,80 |
10000 - 24000 | € 0,053 | € 52,63 |
25000+ | € 0,05 | € 50,29 |
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NPN
Corriente DC Máxima del Colector
600 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
75 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.