Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20 to 40mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Fuente común
Configuration
Dual
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CPH
Conteo de Pines
6
Capacidad Drenador-Fuente
6pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.3pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
0.9mm
Ancho
1.6mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 10 | € 0,553 | € 5,53 |
20 - 40 | € 0,349 | € 3,48 |
50 - 90 | € 0,302 | € 3,02 |
100 - 190 | € 0,265 | € 2,66 |
200+ | € 0,26 | € 2,60 |
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onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20 to 40mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Fuente común
Configuration
Dual
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CPH
Conteo de Pines
6
Capacidad Drenador-Fuente
6pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.3pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
0.9mm
Ancho
1.6mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.