Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-80 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
12.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
8 x 3.25 x 11mm
Datos del producto
Transistores PNP de potencia, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Price on asking
Estándar
10
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-1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-80 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
12.5 W
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Single
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
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