Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
380 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones
2.2 x 1.35 x 1mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
China
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
100 - 900 | € 0,058 | € 5,75 |
1000 - 2900 | € 0,041 | € 4,11 |
3000 - 8900 | € 0,031 | € 3,05 |
9000 - 23900 | € 0,027 | € 2,70 |
24000+ | € 0,026 | € 2,58 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
380 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones
2.2 x 1.35 x 1mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
China