MOSFET onsemi 2N7002LT1G, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.94mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,042 | € 126,74 |
| 6000 - 9000 | € 0,041 | € 123,22 |
| 12000 - 27000 | € 0,04 | € 119,70 |
| 30000 - 57000 | € 0,039 | € 116,18 |
| 60000+ | € 0,038 | € 112,66 |
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Tipo de montaje
Montaje superficial
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
1.3mm
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Si
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Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
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