Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.25mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
2mm
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 0,092
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Mejora
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1V
Disipación de Potencia Máxima
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Profundidad
1.25mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
2mm
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.