Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 → 30mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
2.5pF
Capacidad Fuente-Puerta
5pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 → 30mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
2.5pF
Capacidad Fuente-Puerta
5pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.