Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20 → 100mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Profundidad
1.4mm
Longitud:
3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
País de Origen
China
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P.O.A.
10
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NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20 → 100mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Profundidad
1.4mm
Longitud:
3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
País de Origen
China