Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
170 mA, 330 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V, 60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-666
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,6 Ω, 13,5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V, 0,5 nC a 4,5 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.6mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 0,29
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
50
$ 0,29
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
50 - 100 | $ 0,29 | $ 14,52 |
150 - 250 | $ 0,177 | $ 8,82 |
300 - 550 | $ 0,171 | $ 8,58 |
600 - 1150 | $ 0,168 | $ 8,39 |
1200+ | $ 0,164 | $ 8,20 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
170 mA, 330 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V, 60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-666
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,6 Ω, 13,5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V, 0,5 nC a 4,5 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.6mm
Datos del producto