Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
350 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
TN0110
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
4.06mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.08mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
5.33mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
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€ 1,181
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10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 20 | € 1,181 | € 11,81 |
30 - 90 | € 1,123 | € 11,23 |
100+ | € 1,019 | € 10,19 |
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Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
350 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
TN0110
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
4.06mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.08mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
5.33mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China