MOSFET IXYS IXFH15N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 15 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Series
HiperFET, Q-Class
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.05 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
6.5V
Disipación de Potencia Máxima
690 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Longitud
16.26mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Altura
16.26mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 399,26
€ 13,309 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
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1000 V
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.05 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
6.5V
Disipación de Potencia Máxima
690 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Longitud
16.26mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Altura
16.26mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
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Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
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Encapsulados estándar del sector
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