Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
37,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Tipo de Encapsulado
PLUS264
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Disipación de Potencia Máxima
890000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
20.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
250 nC a 10 V
Profundidad
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
26.59mm
Serie
HiperFET, Q-Class
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
37,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Tipo de Encapsulado
PLUS264
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Disipación de Potencia Máxima
890000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
20.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
250 nC a 10 V
Profundidad
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
26.59mm
Serie
HiperFET, Q-Class
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C