Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.65V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 4,5 V
Altura
1.5mm
Serie
IRF9910
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.65V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 4,5 V
Altura
1.5mm
Serie
IRF9910
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V