MOSFET Infineon IRF540NPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Número de Elementos por Chip
1
Modo de Canal
Mejora
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Serie
HEXFET
Profundidad
4.69mm
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Longitud
10.54mm
Altura
8.77mm
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Brand
InfineonResistencia Máxima Drenador-Fuente
44 mΩ
Carga Típica de Puerta @ Vgs
71 nC a 10 V
País de Origen
China
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,803 | € 16,05 |
| 100 - 180 | € 0,627 | € 12,53 |
| 200 - 480 | € 0,587 | € 11,74 |
| 500 - 980 | € 0,546 | € 10,91 |
| 1000+ | € 0,506 | € 10,12 |
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Mejora
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Serie
HEXFET
Profundidad
4.69mm
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Longitud
10.54mm
Altura
8.77mm
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Brand
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