Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
82 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.3V
Serie
IRF3710ZS
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
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€ 0,822
Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
800
€ 0,822
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
800 - 800 | € 0,822 | € 657,73 |
1600+ | € 0,781 | € 624,98 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
82 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.3V
Serie
IRF3710ZS
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm