Módulo IGBT, FF150R12YT3BOMA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, EASY2, 9-Pines, 1MHZ Serie
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Velocidad de Conmutación
1MHz
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Transistor Configuration
Serie
Tipo de montaje
PCB Mount
Conteo de Pines
9
Temperatura Máxima de Operación
125 °C
Configuration
Series
Corriente Máxima Continua del Colector
200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Disipación de Potencia Máxima
625000 mW
Brand
InfineonTipo de Encapsulado
EASY2
Dimensiones
55.9 x 39.6 x 17mm
País de Origen
China
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€ 43,218
Each (Supplied in a Tray) (Sin IVA)
20
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Especificaciones
Tipo de Canal
N
Velocidad de Conmutación
1MHz
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Transistor Configuration
Serie
Tipo de montaje
PCB Mount
Conteo de Pines
9
Temperatura Máxima de Operación
125 °C
Configuration
Series
Corriente Máxima Continua del Colector
200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Disipación de Potencia Máxima
625000 mW
Brand
InfineonTipo de Encapsulado
EASY2
Dimensiones
55.9 x 39.6 x 17mm
País de Origen
China