Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
DMN2058U
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
91 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,13 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 0,07
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
50
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N
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
DMN2058U
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
91 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,13 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Datos del producto