Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 0,253
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
100
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100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,253 | € 25,26 |
500 - 900 | € 0,156 | € 15,55 |
1000 - 2400 | € 0,151 | € 15,09 |
2500 - 4900 | € 0,142 | € 14,15 |
5000+ | € 0,133 | € 13,33 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto