Sensor de proximidad BALLUFF, M8 x 1, alcance 1,5 mm, salida PNP, 12 → 30 V dc, IP67, 1kHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Cuerpo
Barrel
Reverse Polarity Protection
Yes
Protección contra cortocircuitos/sobrecargas
Yes
For Use With HMI
X2
Apantallamiento
Apantallado
Frecuencia de conmutación máxima
1kHz
Tamaño de Rosca
M8 x 1
Tensión DC Máxima
30V
Temperatura Mínima de Operación
-20°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+70°C
Índice de protección IP
IP67
Tipo de montaje
Flush
Material de la Carcasa
CuZn
Switching Current
200 mA
Rango de Detección
1.5 mm
Brand
BALLUFFOutput Type
PNP
Tipo de Terminal
Conector M8 de 3 contactos
Longitud:
60mm
Voltaje de suministro
12 → 30 Vdc
País de Origen
Hungary
Datos del producto
IGBT de empaquetado conjunto hasta 20 A, Infineon
Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de Infineon proporcionan al usuario una amplia gama de opciones para garantizar que sus aplicaciones están cubiertas. Las calificaciones de alta eficiencia hacen que esta gama de IGBT pueda usarse en una amplia variedad de aplicaciones y admitir varias frecuencias de conmutación gracias a las bajas pérdidas de conmutación.
IGBT empaquetado conjuntamente con diodo de recuperación ultrarrápido en antiparalelo para utilizar en configuraciones en puente
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
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Apantallamiento
Apantallado
Frecuencia de conmutación máxima
1kHz
Tamaño de Rosca
M8 x 1
Tensión DC Máxima
30V
Temperatura Mínima de Operación
-20°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+70°C
Índice de protección IP
IP67
Tipo de montaje
Flush
Material de la Carcasa
CuZn
Switching Current
200 mA
Rango de Detección
1.5 mm
Brand
BALLUFFOutput Type
PNP
Tipo de Terminal
Conector M8 de 3 contactos
Longitud:
60mm
Voltaje de suministro
12 → 30 Vdc
País de Origen
Hungary
Datos del producto
IGBT de empaquetado conjunto hasta 20 A, Infineon
Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de Infineon proporcionan al usuario una amplia gama de opciones para garantizar que sus aplicaciones están cubiertas. Las calificaciones de alta eficiencia hacen que esta gama de IGBT pueda usarse en una amplia variedad de aplicaciones y admitir varias frecuencias de conmutación gracias a las bajas pérdidas de conmutación.
IGBT empaquetado conjuntamente con diodo de recuperación ultrarrápido en antiparalelo para utilizar en configuraciones en puente
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.