Transistor Darlington, BD679, NPN 4 A, 80 V, HFE:750, SOT-32, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
10.8mm
Dimensiones del Cuerpo
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
7.8mm
Ancho
2.7mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 0,53
€ 0,53 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 1 | € 0,53 |
| 2 - 4 | € 0,50 |
| 5 - 9 | € 0,49 |
| 10 - 24 | € 0,48 |
| 25+ | € 0,46 |
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Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
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-65 °C
Altura
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Dimensiones del Cuerpo
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Longitud
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Ancho
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